EN 
EN
DA
NL
FI
FR
DE
IT
JA
KO
NO
PL
PT
RO
RU
ES
SV
TL
ID
SK
UK
VI
TH
TR
FA
BE
LA
UZ
Téitheoir graifíte Brataithe SiC do MOCVD
Is iompróir téite ardfheidhmíochta é an Téitheoir MOCVD Graphite Brataithe Semixlab SiC atá deartha le haghaidh próisis déantúsaíochta leathsheoltóra a úsáideann taisceadh gaile ceimiceach (CVD) chun sciath aonfhoirmeach dlúth chomhdhúile sileacain (SiC) a fhoirmiú ar dhromchla substráit graifíte íonachta ultra-ard.
Tuairisc
thoil a
Comhcheanglaíonn Téitheoir MOCVD Graphite Brataithe SiC seoltacht teirmeach den scoth graifít le teocht ard agus friotaíocht creimeadh bratuithe SiC, agus úsáidtear go forleathan é i dtrealamh sil-leagan ceimiceach gaile miotail-orgánach (MOCVD) chun cobhsaíocht agus ardíonacht a chinntiú i bpróisis fáis epitaxy wafer.
Gnéithe Táirge Téitheoir MOCVD Graphite Brataithe SiC
1. Ultra-ard íonachta agus cobhsaíocht cheimiceach
Íonacht ≥99.99995%: Déantar ár Téitheoir Graphite a ullmhú faoi chlóiríniú teocht ard tríd an bpróiseas CVD, rud a sheachnaíonn go héifeachtach éilliú eisíontais miotail agus go gcomhlíonann sé an t-éileamh ar thimpeallachtaí ultra-ghlan i ndéantúsaíocht leathsheoltóra.
Creimeadh frithcheimiceach: Is féidir le cruas dlúth agus ard sciath SiC (cruas Vickers 2500-2800) seasamh in aghaidh creimeadh aigéid, alcailí, salainn agus tuaslagóirí orgánacha, rud a chuireann fad le saol seirbhíse an trealaimh sa timpeallacht gháis chreimneach.
2. Friotaíocht teocht ard den scoth
Cobhsaíocht teocht ard: is féidir leis suas le 3000 ° C a sheasamh in atmaisféar támh, oibriú cobhsaí suas le 2200 ° C i dtimpeallacht folúis, agus 1600-1700 ° C i dtimpeallacht ocsaídeach, atá oiriúnach do dhálaí foircneacha seomra imoibrithe MOCVD.
Comhéifeacht Íseal Leathnú Teirmeach (4.5 x 10-⁶K-¹): Laghdaíonn an ghné seo de MOCVD Graphite Heater go héifeachtach scoilteadh nó feannadh sciath mar gheall ar athruithe teochta, ag cinntiú sláine struchtúrach faoi thimthriall teirmeach fadtéarmach.
3. Feidhmíocht bhainistíochta teirmeach optamaithe
Seoltacht Ard Teirmeach (200-300 W/mK): Cinneann seoltacht ard teirmeach an Téitheoir Graphite MOCVD gur féidir leis an táirge teas a aistriú go tapa agus go haonfhoirmeach chun dáileadh comhsheasmhach teocht dromchla wafer (± 1 ° C) a bhaint amach, rud a chuireann feabhas éifeachtach ar aonfhoirmeacht ciseal epitaxial.
Dearadh Réimse Sreabhadh Gáis Laminar: Tar éis atriallta agus uasghrádú teicneolaíochta leanúnach, cinntíonn ár réidh dromchla Téitheoir MOCVD (Ra ≤ 0.8μm) agus leas iomlán a bhaint céimseata dáileadh aonfhoirmeach na ngás imoibríocha agus laghdaíonn sé neamh-aonfhoirmeacht taisce de bharr suaiteachta.
sonraíochtaí
Paraiméadair Theicniúla Comparáid agus Buntáistí
| tréithe | Téitheoirí brataithe Semixlab SiC | Téitheoirí graifít traidisiúnta |
| uasteocht oibriúcháin (támh) | 3000 ° C | 2500 ° C |
| Íonacht Cheimiceach | ≥ 99.99995% | ≤ 99.99 |
| Seoltacht theirmeach | 300 W / mK | 120-150 W/mK |
| Greamaitheacht cumhdach | 415 MPa (lúbthacht 4 phointe) | 100-200Mpa |
| Saol tipiciúil (timthriallta) | > 500 timthriall | 100-200 timthriall |
Buntáiste Iomaíoch
Cén fáth Semixlab?
Saincheapadh: Tá Semixlab tiomanta do tháirgí saincheaptha agus seirbhísí teicniúla a sholáthar dár gcustaiméirí. Tacaímid le saincheaptha méideanna neamhchaighdeánacha (suas le trastomhas 360mm) agus tiús sciath (20-500μm) chun freastal ar raon leathan riachtanas trealaimh.
Deimhniú Domhanda: Tá ár Téitheoir Grafite Brataithe SiC comhlíontach SEMI, deimhnithe ISO 9001, agus onnmhairítear ár gcuid táirgí go príomha go dtí an Eoraip agus na Stáit Aontaithe, chomh maith leis an tSeapáin agus sa Chóiré Theas, le buntáiste suntasach praghais / feidhmíochta.
Sineirgíocht theicniúil: Tá dlúthchomhar leanúnach ag Semixlab leis na hinstitiúidí taighde is fearr sa tSín, ag baint úsáide as teicneolaíochtaí brataithe paitinnithe (cosúil le próiseas SiC³ CGT Carbon) chun dlús brataithe agus friotaíocht turrainge teirmeach a bharrfheabhsú.
