Eitseáil Fáinne Fócais

I bpróisis lárnacha déantúsaíochta leathsheoltóra amhail taisceadh gaile ceimiceach CVD, greanadh, agus taisceadh scannán tanaí, is comhpháirteanna ríthábhachtacha iad Fáinne Fócais Greanta (Fáinne Fócais Greanta), Leictreoid (Leictreoid), Rialaitheoir Teochta Imeall (ETC) agus comhpháirteanna inchaite eile chun cruinneas agus cobhsaíocht an phróisis a chinntiú. Déantar na comhpháirteanna seo a chomhthionól go beacht i seomra folúis chun meaisínithe aonfhoirmeach struchtúr nanoscála a bhaint amach ar dhromchla an tsliabháin trí rialú beacht ar dháileadh plasma, teocht imeall agus aonfhoirmeacht réimse leictreach.

Mar fhreagra ar na ceanglais dhiana maidir le glaineacht agus cobhsaíocht i bpróisis ardleibhéil (amhail 5nm agus faoina bhun), thug Semixlab isteach fáinní fócais eitseáilte agus tomhaltáin tacaíochta le Sileacan Monachriostalach ard-íonachta mar an t-ábhar lárnach, i gcomparáid le hábhair Grianchloch traidisiúnta. Ceannródaíocht i bhfriotaíocht creimeadh, cobhsaíocht theirmeach agus airíonna tréleictreacha.

Comparáid ábhar croí: sileacan monachriostalach vs. Grianchloch

1. Friotaíocht creimeadh plasma

Monachriostail. An-chomhsheasmhach le hábhar bonn an tsaiféir, léirigh siad rátaí greanta an-íseal i dtimpeallachtaí plasma bunaithe ar fhluairín (CF₄, SF₆) nó clóirín (Cl₂) agus mhair siad suas le 3-5 huaire níos faide ná grianchloch, rud a laghdaigh am neamhghníomhach trealaimh agus minicíocht athsholáthair.

Grianchloch: Cé go bhfuil friotaíocht mhaith teochta ard aige, is furasta micrea-scoilteanna a fhoirmiú faoi bhuamáil ian ardfhuinnimh, rud a fhágann go méadaítear an baol truaillithe cáithníní, go háirithe sa phróiseas greanta fadtéarmach.

2. Seoltacht theirmeach agus comhéifeacht leathnú teirmeach

Sileacan monachriostalach: tá an seoltacht theirmeach (149 W/m·K) i bhfad níos airde ná seoltacht grianchloch (1.4 W/m·K), ar féidir leis teas próisis a sheoladh go tapa agus strus teirmeach áitiúil a laghdú. Tá a chomhéifeacht íseal leathnúcháin theirmigh (2.6 × 10⁻⁶/K) oiriúnach do sceallóga sileacain chun dífhoirmiú comhpháirteanna mar gheall ar luaineachtaí teochta a sheachaint.

Grianchloch: seoltacht theirmeach íseal, éasca le grádán teochta a fhoirmiú sa seomra, rud a théann i bhfeidhm ar aonfhoirmeacht an phlasma; Tá an chomhéifeacht leathnúcháin theirmigh (0.55 × 10⁻⁶/K) an-difriúil ó chomhéifeacht leathnúcháin theirmigh na vaiféar, rud a fhágann go bhfuil sé éasca micrea-díláithriú comhpháirteanna a chur faoi deara faoi theocht ard fhadtéarmach.

Airíonna tréleictreacha agus cruinneas próisis

Sileacan monachriostail: Caillteanas tréleictreach an-íseal (tanδ <0.001), is féidir dáileadh an réimse leictrigh RF a rialáil go cruinn chun a chinntiú go bhfuil an difríocht ráta greanta ón imeall go dtí an lár níos lú ná 1.5%, ag freastal ar riachtanais na bpróiseas chun cinn maidir le haonfhoirmeacht leithead líne.

Grianchloch: Tá an tairiseach tréleictreach (3.8) difriúil ón timpeallacht atá bunaithe ar shiliceán, rud a fhágann go mbíonn saobhadh réimse leictreach mar thoradh air go héasca, agus tá an éifeacht imeall suntasach, rud a théann i bhfeidhm ar chomhsheasmhacht fhoirmithe an struchtúir ardchóimheasa gné.

Cén fáth a roghnaíonn tú sileacan monachriostalach?

I bpróisis ardleibhéil faoi bhun 7nm, déantar an Fhuinneog Próisis a chúngú go dtí an scála adamhach, agus tá an saolré gearr pláta agus an éifeacht cur isteach réimse leictreach a bhaineann le tomhaltáin grianchloch traidisiúnta ina mbac ar tháirgeacht. Leis an homalogacht fhisiceach agus cheimiceach atá aige le vaiféir, is féidir le hábhar sileacain mhonachriostalach cur isteach comhéadain a laghdú go suntasach, an timthriall cothabhála a shíneadh go dtí níos mó ná 3,000 uair an chloig, agus an costas foriomlán a laghdú 40%.

Sonraigh go tapa:

1. Ainmneacha eile: Fáinne fócais, Fáinne greanta, Fáinne fócais le haghaidh greanta, Fáinne fócais sileacain mhonacriostalach.

2. Feidhmchlár: Is comhpháirteanna ríthábhachtacha iad comhpháirteanna in-chomhdhéanta chun cruinneas agus cobhsaíocht an phróisis a chinntiú. Déantar na comhpháirteanna seo a chomhthionól go beacht i seomra folúis chun meaisínithe aonfhoirmeach a bhaint amach ar struchtúir nanoscála ar dhromchla an tsliabháin trí rialú beacht a dhéanamh ar dháileadh plasma, teocht imeall agus aonfhoirmeacht an réimse leictrigh.

3. Príomhpharaiméadair: Seoltacht theirmeach (149 W/m·K), is féidir léi teas próisis a sheoladh go tapa, strus teirmeach áitiúil a laghdú; a chomhéifeacht íseal leathnúcháin theirmigh (2.6 × 10⁻⁶/K) a oireann do sceallóga sileacain chun dífhoirmiú comhpháirteanna mar gheall ar luaineachtaí teochta a sheachaint.

Comparáid sonraí teicniúla

Greanadh HAR: I bpróiseas 3D NAND agus TSV (trí shiliceán), cothabháil chobhsaí ar ingearacht bhalla taobh an phoill dhomhain.

Greanadh Sraithe Adamhach (ALE): Baint sraitheanna adamhacha aonair trí rialú beacht ar an réimse leictreach chun ró-ghreanadh a sheachaint.

Próiseáil leathsheoltóra cumaisc: Greanadh ráta locht íseal atá comhoiriúnach le hábhair bhearna banda leathan amhail GaN agus SiC.

Ráthaíocht gan truailliú: Tá an t-ábhar sileacain monachriostalach snasta go sár-chruinn (Ra <0.1μm) agus pacáiste seomra glan Aicme 10 chun scaoileadh ábhar cáithníneach a sheachaint agus chun an caighdeán glaineachta grád leathsheoltóra (SEMI F47) a chomhlíonadh.

Dearadh rialaithe teochta cliste: Modúl ETC comhtháite, monatóireacht agus coigeartú fíor-ama ar theocht an imeall trí theirmeachúpla leabaithe, cúiteamh ar dhrifeadh teirmeach seomra próisis, chun in-athdhéantacht bhaisc a chinntiú.

Comhoiriúnacht saincheaptha: Tacaíonn sé le cró agus tiús saincheaptha de réir mhúnla an stáisiúin chliaint (amhail AMAT Centura, Lam Research Kiyo), le haghaidh réimse foinsí plasma (ICP, CCP).