Bhraith docht graifít íonachta

Is táirge straitéiseach é brait dhocht graifíte ardíonachta, an t-ábhar réimse teirmeach lárnach don tríú glúin de mhonarú leathsheoltóra agus fótavoltach chun cinn, arna fhorbairt ag Semixlab bunaithe ar níos mó ná 20 bliain de thaithí taighde agus forbartha ábhar bunaithe ar charbón. Trí theicneolaíocht athneartaithe ceannródaíoch agus próiseas graifítithe grádáin teochta thar a bheith ard, baintear amach dochtacht struchtúrach agus cobhsaíocht chomhshaoil ​​​​nach féidir le hábhair bhrait bhoga thraidisiúnta a bhaint amach agus airíonna teirmeacha den scoth graifíte á gcothabháil ag an am céanna. Tosaíonn an próiseas monaraíochta le hamhábhair chun cinn idirnáisiúnta, tar éis réamhcharbónú 1200 ℃ chun struchtúr ciseal neamhordúil a fhoirmiú, déantar an roisín feanólach íseal-luaithreach féinfhorbartha a thuiliú, agus ullmhaítear na codanna casta-chruthacha le teicneolaíocht brú iseastatach 80MPa. In atmaisféar cosanta argóin, téann an corp faoi 72 uair an chloig de ghraifítiú grádáin ag 2800 ℃, rud a chuireann athchóiriú adamh carbóin chun cinn chun struchtúr criostail an-ordaithe a fhoirmiú, agus ar deireadh baintear amach cruinneas tríthoiseach ±0.05mm tríd an ionad meaisínithe CNC cúig-ais. Is féidir sciath grádáin SiC le tiús 50-200μm a tháirgeadh trí thaisceadh gaile ceimiceach (CVD) chun an fhriotaíocht ocsaídiúcháin a fheabhsú.

Léiríonn brait dhocht graifíte ardíonachta feidhmíocht chuimsitheach den scoth i dtimpeallacht theirmeach mhór: is é ≥99.99% a cion carbóin agus tá luach fuinseoige rialaithe go docht laistigh de 65ppm, rud a chomhlíonann riachtanais glaineachta grád leathsheoltóra; Fiú ag an teocht ard 2000 ℃, coinníonn sé cumas iompair ≥3MPa fós, ag sárú go rathúil an fhadhb tionscail go bhfuil ábhair bhrait bhog éasca le dífhoirmiú agus le titim faoi dhálaí ardteochta. Baintear cruinneas rialaithe teochta beacht amach i bhfoirnéis fáis criostail aonair SiC, atá 40% níos airde ná meán an tionscail, agus laghdaíonn sé go héifeachtach an dlús díláithrithe criostail aonair faoi bhun 500cm⁻². Tar éis 100 timthriall múchta agus téimh ó 2000 ℃ go teocht an tseomra, bíonn an ráta crapadh den líne ábhair i gcónaí níos lú ná 0.5%, rud a léiríonn go bhfuil cobhsaíocht tríthoiseach brait charbóin traidisiúnta níos mó ná 3 huaire.

I réimse na déantúsaíochta leathsheoltóra tríú glúin, tá an táirge anois ina chomhpháirt lárnach den fhoirnéis fáis criostail SiC aistrithe gaile fisiciúil (PVT), is féidir lena struchtúr athneartaithe teocht ard áitiúil de 3000 ℃ a sheasamh gan creapadh struchtúrach, agus le sciath ilchodach speisialta SIC-Si, is féidir an teocht friotaíochta ocsaídiúcháin a ardú go 1800 ℃. Tá céim folúis na foirnéise criostail aonair cobhsaí ag 5 × 10^-3Pá ar feadh i bhfad.

Sonraí Teicniúla_Carbóin/Comhchodach Carbóin:

1. Foirnéis fáis criostail aonair SiC (modh PVT)

Mar an ciseal inslithe teasa lárnach de gach comhpháirt den bhreogán graifíte, is é ±0.3 ℃/mm cruinneas rialaithe grádán teochta aiseach; Coinnítear folús an tseomra fáis <5 × 10-3Pa; Laghdaítear dlús díláithrithe criostail aonair go <500/cm².

2. Foirnéis ingot pholachriostalach fótavoltach

Laghdaíonn modúl inslithe réimse teirmeach barr an tomhaltas fuinnimh faoi 35% (i gcomparáid le réitigh thraidisiúnta carbóin bhraith).

3. Trealamh eipitacsach leathsheoltóra tríú glúin

Comhtháite le seomra imoibrithe MOCVD chun aonfhoirmeacht teochta leibhéal na sceallóga ±1 ℃ a bhaint amach.

Tacaigh le táirgeadh mais bileog eipitacsach GaN-ar-SiC 8-orlach.

Neart lúbthachta ardteochta: níos airde ná an leibhéal tionscail, suas le 150MPa.

Timthriallta teirmeacha: suas le 1000 uair, i bhfad níos airde ná meán an tionscail.

Tacaíocht do sheirbhísí lán-shaincheaptha: ó ábhar go cruth, an-saincheaptha.